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基于两种中子反射谱仪设计（A：前端为8．0m垂直聚焦导管，入口200m／n，出口40mm；B：前端为1．6＋3．4m水平偏转垂直聚焦导管，入口100mm，出口：150mm），对其前端偏转，聚焦导管进行了中子束模拟，结果表明：1）在特征波长为0．4nm的冷中子导管末端，没有必要再次偏转束流以减低本底；2）与建议方案相比，概念设计中的注量下降了52．8％，而水平方向发散度增大了24．1％，垂直方向发散度减小60．7％；3）聚焦导管长度应不低于6．0m，导管聚焦超镜m值在2．0—2．5最佳，两侧超镜m值对束流几