【摘 要】
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少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ＿２界面的复合对双极器件的影响很大。文中通过对采用ＳｉＯ＿２膜和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４双层膜一次钝化的电容（ＭＯＳ和ＭＮＯＳ）和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４一次钝化膜能减小基区表面电流。文中建立了
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少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ＿２界面的复合对双极器件的影响很大。文中通过对采用ＳｉＯ＿２膜和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４双层膜一次钝化的电容（ＭＯＳ和ＭＮＯＳ）和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４一次钝化膜能减小基区表面电流。文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精确的模型．
The combination of minority carriers at the Si-SiO 2 interface has a great influence on bipolar devices. Through the study on the surface electrical properties of single-passivated capacitors (MOS and MNOS) with SiO_2-Si_3N_4 bilayers and NPN transistors, it is found that SiO_2-Si_3N_4 primary passivation film can reduce the surface current . In this paper, a theoretical model of the surface current of epitaxial bipolar transistors with the gate region (or the surface potential of the base region) is established. The model successfully explains the experimental curve that the base region current of the epitaxial bipolar transistor changes with the gate voltage , Thus providing a more accurate model of the device’s computer simulation.
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