【摘 要】
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提出利用真空室残余的低浓度N原子制备超薄α-Ta（N）／TaN双层扩散阻挡层的方法，有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高电阻率。用四点探针（FPP）、X射线衍射（XRD）、场发射扫描电
【机 构】
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四川理工学院材料与化学工程学院,四川理工学院理学院,巢湖学院电子工程与电气自动化学院
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提出利用真空室残余的低浓度N原子制备超薄α-Ta（N）／TaN双层扩散阻挡层的方法，有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高电阻率。用四点探针（FPP）、X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）进行薄膜电性能和微结构的表征，分析结果表明，利用低浓度氮化工艺，能调控超薄金属Ta膜的相结构，从而获得低阻α-Ta（N）／TaN双层Cu扩散阻挡层结构。高温退火的实验结果证明，此超薄结构具有高的热稳定性，失效温度达600℃。
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