【摘 要】
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文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi 2Se 3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(21503061);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JZ2015HGXJ0184;JZ2016HGBZ1046);安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME122);国家大学生创新实验资助项目(201510359035)
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文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi 2Se 3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi 2Se 3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的
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