【摘 要】
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阐述基于GaAs工艺，仿真设计了一款33～37GHz的两通道开关滤波器，其中开关由GaAs FET管并联实现，滤波器采用梳状结构。芯片内部集成驱动电路，采用-5V供电，TTL电平控制两通道的导通与关断。芯片尺寸为2.2mm×1.9mm×0.07mm。测试结果显示，带内插入损耗低于6dB，带外本底抑制大于40 dB，带内回波损耗优于-15 dB。
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阐述基于GaAs工艺，仿真设计了一款33～37GHz的两通道开关滤波器，其中开关由GaAs FET管并联实现，滤波器采用梳状结构。芯片内部集成驱动电路，采用-5V供电，TTL电平控制两通道的导通与关断。芯片尺寸为2.2mm×1.9mm×0.07mm。测试结果显示，带内插入损耗低于6dB，带外本底抑制大于40 dB，带内回波损耗优于-15 dB。
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