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使用光电化学与电化学石英晶体微天平联用（ＰＥＣＱＣＭ）技术对中性介质铜缓蚀剂成膜过程进行现场研究，结果表明，在中性Ｎａ２ＳＯ４溶液中钝化型缓蚀剂Ｎａ２ＣｒＯ４对Ｃｕ成膜生长有抛物线规律而由于Ｃｌ＾－的影响，在中性ＮａＣｌ溶液中，该缓蚀剂膜生长曲线为折线型，沉淀型缓蚀剂Ｎａ２ＳｉＯ３在Ｎａ２ＳＯ４溶液中的铜晶振电极上不成膜，而在ＮａＣｌ溶液中可成。