MOCVI法制备SiO2/SiO2复合材料

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依据金属基化学气相渗透法(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration.MOCVI)工艺理论基础,采用MOCVI法制备出SiO2/SiO2复合材料,并分析了栽气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)复合材料显微结构的影响。结果表明,优化条件为:JH2O的温度为60℃,载气流量为500mL/min,氧气流量为15mL/min。沉积温度为600℃。
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