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引言随着VLSI集成度的日益提高,MOS器件尺寸不断缩小至亚微米乃至深亚微米,热载子效应已成为最严重的可靠性问题之一。现今,为了降低成本,减少周期,不断的提高工艺,晶圆级的器件可靠性测试愈来愈被广泛的应用。
一种创新的晶圆级热载子并行测试方法
【摘 要】
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引言随着VLSI集成度的日益提高,MOS器件尺寸不断缩小至亚微米乃至深亚微米,热载子效应已成为最严重的可靠性问题之一。现今,为了降低成本,减少周期,不断的提高工艺,晶圆级的
【机 构】
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上海华力微电子有限公司
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2012年4期
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