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设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si（111）衬底上沉积AIN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜的结构、形貌和成分。在优化的实验条件下制备的AIN薄膜具有较强的（002）衍射峰，其半高宽为612-648弧秒。气体流量、衬底偏压、离子源等对薄膜结构有明显影响。