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设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。
薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算
【摘 要】
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设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品
【机 构】
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复旦大学物理系,复旦大学物理系上海200433,上海200433,上海200433
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年2期
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