【摘 要】
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随着半导体材料生长工艺和封装技术等的快速发展,高功率、高亮度半导体激光器的性能不断提升,使之在工业加工、生物医疗、国防以及作为光纤和固体激光器泵浦源等方面有着重要
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心激光技术工程部,中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,上海交通大学IFSA协同创新中心,中国工程物理研究院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金,U1830104;中国工程物理研究院科学技术发展基金,2018A0401018;中国工程物理研究院高能激光科学技术重点实验室基金,2018HEL05-2~~
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随着半导体材料生长工艺和封装技术等的快速发展,高功率、高亮度半导体激光器的性能不断提升,使之在工业加工、生物医疗、国防以及作为光纤和固体激光器泵浦源等方面有着重要作用。近些年来,边发射半导体的功率和光束质量的提升,使得耦合到光纤的输出功率不断提高。单管光纤耦合逐渐从毫瓦级输出发展到数十瓦输出,通过偏振、光谱、空间等合束技术,甚至达到数百瓦的输出。在叠阵或多线阵光纤耦合方面,也实现了从数十瓦级输出发展到数十千瓦级输出。从单管、线阵和叠阵三种半导体激光器出发,对半导体激光器发展现状、技术进行了调研分析,对光纤
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