【摘 要】
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采用有限元计算软件并结合多层膜理论，封蓝宝石衬底上氢化物气相外延（HVPE）生长氮化镓（GaN）厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不同位置在高温生长后的降温过程中温度变化不
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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采用有限元计算软件并结合多层膜理论，封蓝宝石衬底上氢化物气相外延（HVPE）生长氮化镓（GaN）厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不同位置在高温生长后的降温过程中温度变化不同进而产生不同的热失配应变，将引起产生初始裂纹以及裂纹扩展现象。针对上述过程，可以针对给定条件的生长体系，定性分析出GaN厚膜从裂纹产生到之后裂纹扩展的位置及方向。得到的分析结果既能够很好的解释实验中遇到的现象，也能够对通过调节应力提高GaN厚膜生长质量提供理论指导。
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