【摘 要】
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据《Compound Semiconductor》2007第11/12期报道,美国IQE和MIT合作利用Soitec公司的GeOI(绝缘体上锗)衬底制备了硅基InP HEMT和HBT器件。该器件的研发对~族器件单片集成到硅
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据《Compound Semiconductor》2007第11/12期报道,美国IQE和MIT合作利用Soitec公司的GeOI(绝缘体上锗)衬底制备了硅基InP HEMT和HBT器件。该器件的研发对~族器件单片集成到硅基CMOS上很有帮助。在室温下对HEMT器件进行测试,结果显示材料的迁移率是值得期待的。这款硅基器件的迁
According to Compound Semiconductor’s 2007 issue 11/12, IQE and MIT in the United States collaborated to fabricate silicon-based InP HEMT and HBT devices using Soitec’s GeOI (Insulator-on-Ge) substrate. The development of this device is helpful for monolithic integration of family devices onto silicon-based CMOS. HEMT devices were tested at room temperature, the results show that the mobility of the material is worth the wait. The migration of this silicon-based device
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