半导体金钢石薄膜功率器件

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<正>微电子学与集成技术的长足进步,带动了硅电力电子器件的飞速发展.然而,受硅材料特性的限制,在兼顾高频大功率和提高工作温度方面不可能再有更大的突破.从大功率应用目的来看,制造电力电子器件的理想材料应同时具备禁带宽、载流子迁移率高、热导率大等特点.相比之下,在众多的半导体材料中,硅单晶并非是最理想的选择.功率器件的进一步发展不应再囿于器件工作原理和结构的研究,必须从所使用的材料突破硅的限度而开发新的领域.
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