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由空间高能带电粒子引起的ＣＭＯＳ器件单粒子闩锁效就（ＳＥＬ），在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的ＳＲＡＭ ＨＭ－６５６４２的各种ＳＥＬ特性进行了详细分析，希望对卫星电子系统设计师们在进行ＣＭＯＳ器件的防闩锁设计中能有所帮助。
SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性
【摘 要】
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由空间高能带电粒子引起的ＣＭＯＳ器件单粒子闩锁效就（ＳＥＬ），在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的ＳＲＡＭ ＨＭ－６５６４２的各种ＳＥＬ特性进行了详细分析，希望对卫星电子系统设计师们在进行ＣＭＯＳ器件的防闩锁设计
【机 构】
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北京空间飞行器总体设计部
【出 处】
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航天器工程
【发表日期】
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1996年3期
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