【摘 要】
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红外高频光电导衰减法测试硅单晶少数载流子寿命是优越的方法;但使用GaAs:Si发光二极管(LED)时因其波长(0.94μ)太短不适宜作长寿命样品测试。理论分析和实验数据都证明1.09
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红外高频光电导衰减法测试硅单晶少数载流子寿命是优越的方法;但使用GaAs:Si发光二极管(LED)时因其波长(0.94μ)太短不适宜作长寿命样品测试。理论分析和实验数据都证明1.09μm是测试硅单晶寿命的最合适波长,本文叙述了1.09μm红外高频光电导衰减法的测试技术,数值计算获得了光脉冲照射后硅中非平衡载流子的分布并绘出半无限样品的表面复合修正曲线。
It is an excellent method to test the minority carrier lifetime of silicon single crystal by infrared high frequency photoconductive attenuation method. However, when using GaAs: Si light emitting diode (LED), its wavelength (0.94μ) is too short for long-life sample test. Both theoretical analysis and experimental data prove that 1.09μm is the most suitable wavelength for testing the lifetime of single crystal silicon. In this paper, the testing technique of 1.09μm infrared high frequency photoconductive attenuation method is described. The unbalanced current carrying capacity The distribution of the sub-surface and draw the semi-infinite sample surface composite correction curve.
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