【摘 要】
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用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于
【机 构】
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河南教育学院物理系,郑州大学材料物理实验室,
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用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15s。
The p-μc-Si: H thin films were deposited on ZnO: Al films with different texture by PECVD. The contact characteristics of ZnO: Al and p-μc-Si: H films were studied. The crystallization rate of the p-μc-Si: H thin films deposited on ZnO: Al is larger than that of the p-μc-Si: H thin films deposited on un-textured ZnO: Al, The contact resistance of -μc-Si: H thin films is also less than that of un-textured, and the best point of texture time is 15s.
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