三维集成电路中TTSV的散热性能

来源 :电子技术与软件工程 | 被引量 : 1次 | 上传用户：wffg0907

【摘要】

：

三维集成技术取得了突飞猛进的进展,实现了多层堆叠、集成度增加、性能提高以及工艺尺寸降低等成效。然而不可避免的是功耗密度大幅提升,芯片的散热问题上升为限制芯片可靠性的一大因素。热硅通孔(TTSV)在降低芯片温度上具有明显的效果,成为人们关注的焦点。在本文中,我们采用有限元方法,借助COMSOL仿真软件对不同条件下堆叠芯片的散热性能进行了研究,发现用碳纳米管来做硅通孔可以有效地降低芯片的温度,相比其他

【作者】

：

崔玉强潘中良

【机构】

：

华南师范大学物理与电信工程学院

【出处】

：

电子技术与软件工程

【发表日期】

：

2018年18期

【关键词】

：

三维集成电路有限元热分析热管理 TTSV 碳纳米管

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