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本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布