PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

来源 :全国第六届固体内耗与超声衰减学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jyj910
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用传统的固态反应法制备了Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在0.05~4Hz的频率范围内测量了PZT铁电陶瓷的内耗温度特征.在室温至350℃的内耗-温度曲线上,290℃和150℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰P<,1>和P<,2>,并且在50℃附近观察到一个较低的内耗峰.根据Arrhenius关系,分别计算得到P<,1>的激活能E<,1>=2.09eV,τ<,01>=3×10<’-20>s,P<,2>的激活能E<,2>=1.04eV,τ<,02>=8×10<’-14>s,并且分析了P<,1>和P<,2>内耗峰的机制.
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