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热壁外延与Ⅳ—Ⅵ族半导体红外器件
热壁外延与Ⅳ—Ⅵ族半导体红外器件
来源 :物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:owen_climb
【摘 要】
:
文章介绍了热壁外延(HWE)技术及其应用。主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ-Ⅵ族半导体红外探测器和激光器,介绍了这方面国际上近年来的一些新进展,同时也介绍了我们自己的工作。
【作 者】
:
杨玉琨
李冬妹
【机 构】
:
吉林大学超硬材料国家重点实验室
【出 处】
:
物理
【发表日期】
:
1999年12期
【关键词】
:
热壁外延
Ⅳ-Ⅵ族半导体
红外探测器
hot wall epitaxy
Ⅳ-Ⅵ semiconductor
IR detector
IR laser
【基金项目】
:
集成光电子国家重点联合实验室资助
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文章介绍了热壁外延(HWE)技术及其应用。主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ-Ⅵ族半导体红外探测器和激光器,介绍了这方面国际上近年来的一些新进展,同时也介绍了我们自己的工作。
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