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金氧半场效晶体管（MOSFET）承受着上百安培的电流,如果热量不能及时散去,控制器进行热保护甚至烧坏MOSFET,因此,提高控制器的散热性能至关重要.分析了24 V、250 A调速控制器的MOSFET的最大功率损耗,并根据最大功率损耗以及散热器的热阻确定了铝片散热器的尺寸.通过ANSYS仿真得到散热片动态温度场和热负荷满足控制器的散热要求,从而有效提高了调速控制器的使用效率和可靠性.