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该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
薄栅SiO2击穿特性的实验分析和机理研究
【摘 要】
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该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究
【出 处】
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电子与信息学报
【发表日期】
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2001年11期
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