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研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响．对XRD和SEM的研究结果表明，B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响．通过优化工艺，当B2H6流量为17sccm（约1％掺杂浓度）时，在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm，方块电阻为38Ω／□，透过率大于85％，迁移率为17．8cm^2／（V·s）的绒面结构ZnO薄膜．其应用于太阳电池背反射电池后，可使电池短路电流提高将近3mA，使20cm×20cm面积的a-si集成电