【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si（100）和Si（111）基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶
【机 构】
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天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室
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采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si（100）和Si（111）基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明：样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.
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