【摘 要】
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ZnSe是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,适宜作为光电器件的功能层。通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性。在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;采用共
【基金项目】
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国家高技术研发计划(2015AA050610);四川省科技支撑计划(2016GZX0272)
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ZnSe是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,适宜作为光电器件的功能层。通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性。在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;采用共溅射法制备了ZnSe掺Al薄膜。对制备的薄膜进行了成分、结构、光学和电学性质表征。发现在不同沉积温度下可分别得到六方相和立方相ZnSe;掺杂后的薄膜光学吸收边发生变化,得到了N型和P型导电的薄膜,掺杂薄膜的暗态电导率随温度的变化偏离了Arrhenius关系,表明杂质的引入影响了ZnSe的电学性质。
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