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通过搭建单管效率仿真模型,从功率耗散角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势。此后结合Ansoft Maxwell有限元分析建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型,基于双有源桥双向DC-DC拓扑进行效率仿真,对比不同开关频率相同输入输出工况下全负载范围内二者效率差别,总结SiC MOSFET优势所在与适用工况范围。