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本文研究了描述第三代半导体碳化硅单晶片质量的评价指标及其表征方法,梳理了晶片的指标体系,选取了关键指标,并设计了表征新方法的验证试验。通过对试验结果的分析,确定了碳化硅单晶片的质量分级、环境要求,对新测试方法的适用性进行了验证,为碳化硅单晶片产业化过程中质量标准和测试方法标准的形成提供了依据。
碳化硅单晶片关键质量指标及评价方法研究
【摘 要】
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本文研究了描述第三代半导体碳化硅单晶片质量的评价指标及其表征方法,梳理了晶片的指标体系,选取了关键指标,并设计了表征新方法的验证试验。通过对试验结果的分析,确定了碳
【机 构】
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中国电子技术标准化研究院; 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【出 处】
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中国标准化
【发表日期】
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2004年期
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