界面异型掺杂层对肖特基二极管的影响

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本文用耗尽层近似研究了用界面异型掺杂层提高肖特基二极管势垒的方法.给出了势垒高度作为掺杂层参数的函数的公式和相应的数值计算曲线.同时也给出了用C-V测量法得到的这种二极管的势垒的公式和它的物理意义.理论计算结果与用分子束外延法制造的Al-p-n-GaAs二极管的测量结果符合得较好. In this paper, the method of increasing the barrier of schottky diode by using doped interface layer is studied in detail by using the depletion layer. The formula of the barrier height as a function of the parameters of the doped layer and the corresponding numerical calculation curve are given. The formula of the potential barrier of this diode obtained by CV measurement and its physical significance are obtained.The theoretical calculation results are in good agreement with those of the Al-pn-GaAs diode fabricated by molecular beam epitaxy.
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