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以氧化铝（Al2O3）掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础，室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）透明导电薄膜，研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响。结果表明：掺杂量大于1％（质量分数，下同）的薄膜均呈C轴择优取向生长，薄膜致密无裂纹，具有光滑表面；掺杂量对薄膜的电阻率影响显著，当掺杂量为3％时，薄膜的电阻率最小，仅为7．4×10^-3Ω·cm；掺杂量对薄膜的透光性无明显影响，不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90％。