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采用变分法，计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明，GaN基量子阱中激子结合能为10～55meV,大于体材料中激子结合能，并随着阱宽减小而增加，在临界阱宽处达到最大。结间带阶同样对激子结合能有着较大的影响，更大带阶对应更大的结合能。同时量子限制效应增加了电子空穴波函数空间重叠，因此加强了激子光跃迁振子强度，导致GaN/AlN量子阱中激子光吸收明显强于体材料中激子光吸收。