MOCVD制备PZT薄膜技术研究

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采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb(ZkTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果。PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25~200mm,厚度50~500m。经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构。SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀。
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