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通过添加烧结助剂，采用常压烧结工艺制备出不同气孔率（19％～54％）的氮化硅陶瓷。采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度。用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构。用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10．2GHz的介电特性。结果表明：材料具有优良的介电性能。随着烧结助剂的减少，样品中气孔率增加，力学性能有所下降，介电常数和介电损耗降低。添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷。当气孔率高