【摘 要】
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采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al2O3晶体和不同电场下Al2O3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al2O3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al2O3晶体能隙值为6.639
【机 构】
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成都市职工大学培训中心,宜宾学院物理与电子工程学院
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采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al2O3晶体和不同电场下Al2O3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al2O3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al2O3晶体能隙值为6.6396eV;随着Z轴方向的外电场增大,Al2O3晶体能隙值逐渐变小;O2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al2O3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移.
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