【摘 要】
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对不同掺Ｓｂ，Ｃｕ杂质浓度锗晶体２．５～２５μｍ红外波段透射谱线测试结果进行了分析研究。目的是根据半导体物理学理论及实验结果，判断掺Ｓｂ、Ｃｕ杂质对锗晶体２．５～２５μｍ波段红外透明性的影响机制，以及低温下３．０８μｍ处
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对不同掺Ｓｂ，Ｃｕ杂质浓度锗晶体２．５～２５μｍ红外波段透射谱线测试结果进行了分析研究。目的是根据半导体物理学理论及实验结果，判断掺Ｓｂ、Ｃｕ杂质对锗晶体２．５～２５μｍ波段红外透明性的影响机制，以及低温下３．０８μｍ处吸收增强的原因。
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