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利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片，并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明，界面平整，上层硅厚度为76．5μm，SiO2埋层厚度为0．865μm；晶片键合良好，有效键合面积大于95％，键合强度大于13．54J／m^2；表面应力小于12．6MPa，适用于MEMS器件。