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绪言随着微电于工业的迅速发展,对于高纯度难熔金属(钨、钼和钽等)的需求量显著地增长,因为超纯钨的高电子迁移抗力、高温稳定性和形成稳定硅酸钨的倾向,人们优先选用它作为电子工业中的控制电极、内连和屏蔽金属材料。为了制备用作半导体生产中溅射靶钨,其中铀和钍的含量必须非常低,因为这些放射性的物质能够由于α粒子