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为提高 BaF_2晶体的性能,生长了掺杂 LaF_3、NaF、CeF_3及纯的 BaF_2晶体,测试了其紫外透过谱、X 射线激发发射谱、紫外光激发谱、抗辐照性能及能谱,发现只有掺杂1.0%LaF_3的 BaF_2晶体能大幅度降低慢成份而对快成份影响不大且在10~5～10~6rad辐照剂量之下和纯 BaF_2一样在快成份光输出上有抗辐照能力,首次发现掺杂 LaF_3的BaF_2晶体紫外光激发谱中,385nm 处新激发峰。