【摘 要】
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采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路.传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成
【机 构】
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南京电子技术研究所, 南京210039
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采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路.传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低了芯片成本,同时提高了集成度.通过采用片内温度补偿、相位补偿和并联峰化等一系列技术,使其达到较好的温度特性、较小的衰减附加相移和宽带特性.测试结果表明:该多功能芯片工作频率8 GHz～12 GHz,均方根相位误差3°,衰减附加相移小于2.5°,接收增益10 dB,发射增益3 dB.芯片包含焊盘的尺寸约为12.6 mm2.在性能和GaAs工艺多功能芯片相当的前提下,面积减小30％以上,成本可以大幅降低.
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