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对940nm波长高功率线阵二极管激光器的封装结构进行了重新设计．并在此基础上开展了芯片的封装实验。封装出的线阵二极管激光器，在连续工作时输出激光功率达40W，在准连续工作时(占空比0．5％)，输出峰值功率可达100W。
940nm波长高功率线阵二极管激光器封装研究
【摘 要】
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对940nm波长高功率线阵二极管激光器的封装结构进行了重新设计．并在此基础上开展了芯片的封装实验。封装出的线阵二极管激光器，在连续工作时输出激光功率达40W，在准连续工作时(
【机 构】
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中国工程物理研究院应用电子学研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2002年6期
【基金项目】
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中国工程物理研究院预研基金资助课题(20010441)
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