【摘 要】
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用高倍金相显微镜及红外显微镜,对掺杂为Te、晶面是(111)的n型GaP单晶及掺N、Zn液相外延生长的P型GaP外延层,进行了缺陷及杂质偏析的观察;从而分析了导致偏析的原因及缺陷形
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用高倍金相显微镜及红外显微镜,对掺杂为Te、晶面是(111)的n型GaP单晶及掺N、Zn液相外延生长的P型GaP外延层,进行了缺陷及杂质偏析的观察;从而分析了导致偏析的原因及缺陷形成和增殖的机理。
The high-power metallographic microscope and infrared microscope were used to fabricate n-type GaP single crystal doped with Te and crystal plane (111) and P-type GaP epitaxial layer grown by liquid phase epitaxy with N and Zn. The defect and impurity segregation Observation; Analysis of the reasons leading to segregation and defect formation and proliferation mechanism.
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