论文部分内容阅读
利用顶接触窗口,在正向偏置驱动时,我们观测到了AlGaInP激光二极管的激光发射,其发射位置于p型盖层和接触层之间界面的直接隙监控层上,因此提供了该种器件中少数载流子(电子)漏泄的直接证据,我们进一步指出,漏泄是由于漂移和扩散造成的,而且在偏置情况下对器件用光脉激励,通过时间-行程实验,我们测定了p型盖层的少数载流子迁移率为170±10cm^2V^-1s^-1。利用模拟对数据进行了分析,其模拟是考虑了在结构的整个时间响应上;在阱在监控层中复合时间的起伏,测得的迁移率相当于通过X-导带的电子迁移。