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利用顶接触窗口，在正向偏置驱动时，我们观测到了AlGaInP激光二极管的激光发射，其发射位置于p型盖层和接触层之间界面的直接隙监控层上，因此提供了该种器件中少数载流子（电子）漏泄的直接证据，我们进一步指出，漏泄是由于漂移和扩散造成的，而且在偏置情况下对器件用光脉激励，通过时间－行程实验，我们测定了p型盖层的少数载流子迁移率为170±10cm^2V^-1s^-1。利用模拟对数据进行了分析，其模拟是考虑了在结构的整个时间响应上；在阱在监控层中复合时间的起伏，测得的迁移率相当于通过X－导带的电子迁移。