【摘 要】
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2008年12月7日,英特尔公司宣布其研究团队在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破,成功使用基于硅的雪崩光电探测器(Silicon-based Avalanche Photodetector)实现了创世
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2008年12月7日,英特尔公司宣布其研究团队在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破,成功使用基于硅的雪崩光电探测器(Silicon-based Avalanche Photodetector)实现了创世界纪录的高性能,这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340GHz"增益-带宽积",这为降低40Gbps或更高数据传输速度的光学链路的成本开启了大门,同时也第一次证明了硅光电子元器件的性能可以超过现有的使用磷化铟(InP)等更昂贵传统材料制造的光电子元器件的性能。这项研究成果已经发表于当天出版的《自然一光子学》(Nature Photonics)杂志。作为一项新兴技术,硅光电子学(Silicon Photonics)利用标准硅实现计算机和其它电子设备之间的光信息发送和接收。此项技术也可以应用于对带宽需求高的远程医疗和3D虚拟世界等未来数据密集型计算领域。
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