醋酸锌一步溶液法制备的各种形貌ZnO棒

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq414363439
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用一步化学溶液法在玻璃衬底上通过改变溶液浓度、酸碱度等影响因素生长出不同形貌和不同尺寸的ZnO棒.已生长出的ZnO棒的形貌有细长棒形,垂直于衬底的规则六角形,短而粗的六角形,橄榄形,圆头或平头对称双棒和花生米粒形.分析了酸碱度、溶液浓度、催化剂和温度对生成的ZnO样品形貌的影响,以及分析了其生长机理.随着溶液浓度的增加,生成的ZnO棒的长径比随之减小.溶液浓度为0.01 mol/L时,细棒的长径比约为20~70,而当溶液浓度为0.5 mol/L时,规则六角短棒的长径比约为0.5~1.当溶液浓度为0.1
其他文献
采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高取向的ZnS纳米棒阵列.从样品的场发射扫描电
制备了以PbF2+GeO2+WO3+SiO2+NaF为基质组分的yb3+,Er3+双掺稀土离子上转换发光玻璃陶瓷.采用日本产Hitachi F-4500荧光光度计,激发波长为980 nm,观测到样品在550 nm处出现较
利用荧光光谱技术研究了胆红素对血红蛋白分子中发光基团结构变化的影响及其与血红蛋白结合方式.结果表明,不同浓度的胆红素可以不同程度地猝灭血红蛋白荧光,导致330 nm处色
室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都
利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)进行离子束合成,制备了过剂量C+离子注入到单晶硅衬底的样品.然后利用热退火,在表层制备了连续β-SiC层,形成表层SiC/Si的异质结构.利用傅里
在Y2O3:Eu^3+体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3+的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫
采用共沉淀法制备了ZnS及ZnS:Eu纳米晶粉末,并对其在不同温度进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)技术及差热分析实验(DTA)对ZnS纳米粒子在退火过程中的从立方到六角晶相的
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发