双极功率集成器件的优化

来源 :北京工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuxiaoxin888

【摘要】

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以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管

【作者】

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吴郁王浩程序亢宝位

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院

【出处】

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北京工业大学学报

【发表日期】

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2009年9期

【关键词】

：

双极功率集成器件主晶体管内二极管漏电流反向恢复时间 power bipolar integrated device main transistor

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以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题.最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值.这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础.

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