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利用RESURF与场板结构结合的技术，设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD—MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60pm，就可实现600V以上的耐压，适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求，介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA（工艺模拟）和ATLAS（器件模拟）工具，分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数；最后，对实际芯片的PCM器件参数进行了测试和分析。