【摘 要】
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本文研究了Cr2O3掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响。研究结果表明当Cr2O3的含量从0.03mol%增加到0.06mol%时,压敏电阻的压敏电压从298V/mm增加到335V/mm然后又减
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(11504090);河南科技大学高级别科研培育基金项目(2015GJB014)
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本文研究了Cr2O3掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响。研究结果表明当Cr2O3的含量从0.03mol%增加到0.06mol%时,压敏电阻的压敏电压从298V/mm增加到335V/mm然后又减少到278V/mm,晶界电阻率先减小再增大;随着测试温度的升高,样品的介电常数出现峰值,且峰值的位置具有随着掺杂量的增加先向低温再向高温移动的趋势。所有样品的势垒高度均为0.8eV左右,这表明,晶粒尺寸的变化以及Cr2O3在样品中存在的形态是影响SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的主要原因。
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