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采用热等静压的工艺合成了掺杂GaP量为≤2．0％（摩尔分数）的N型Si95Ge5固溶体合金，对合成后的样品进行了物相结构分析及对微观形貌进行了表征，并研究了在室温下GaP掺杂量对载流子浓度、电导率、Seebeck系数及功率因子的影响。对于复合掺杂（P＋GaP）的N型Si95Ge5合金，试验结果表明：Seebeck系数在GaP掺杂量为0．5％（摩尔分数）时最小，之后随着GaP掺杂量在0．5％～1．5％范围内的增加而增加；电导率在GaP掺杂量小于1．5％范围内随GaP掺杂量的增加而单调增加；GaP的掺杂量在0