带磁通变换器的TI系薄膜DC—SQUID

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我们在制备了TlBaCaCuO薄膜DC—SQUID的基础上,又研制了平面型带磁通变换器的DC—SQUID。磁通变换器与DC—SQUID制备在同一片薄膜衬底上,避免了分立单片耦合对准的困难.带磁通变换器的DC—SQUID在磁通锁定模式下,在77K温度中,在0~1Hz处测量磁通噪声为4.9×10-4φo/Hz1/2,作为磁强计使用,磁场灵敏度提高了6倍。
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