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本文采用射频等离子体增强化学气相生长法，在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为晶向的外延生长膜。还用红外吸收我谱拉曼光谱和Ｘ射线我电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。
PECVD法氮化硅薄膜的研究
【摘 要】
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本文采用射频等离子体增强化学气相生长法，在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为晶向的外延生长膜。还用红外吸收我谱拉曼光谱和Ｘ射
【机 构】
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武汉大学
【出 处】
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材料科学与工程
【发表日期】
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1997年1期
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